英飞凌IGBT模块FP35R12KT4深圳库存原装现货

 FP35R12KT4由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一 身，既有输入阻抗高，速度快 ，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺 点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的 缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合 具有优势。
FP35R12KT4产品参数
中文参数	条件温度	符号	数值	单位	  
集电极－发射较电压	Tvj = 25°C	VCES	1200	V	  
连续集电极直流电流	TC = 50°C, Tvj max = 175°C
 ICnom  35  A
集电极重复峰值电流	tP = 1 ms	ICRM	70	A	  
总功率损耗	TC = 25°C, Tvj max = 175	Ptot	210	W	  
栅较－发射较峰值电压	VGES	+/-20	V	  
集电极－发射较饱和电压	IC = 450 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C	VCE sat	2．25 (max)	V	 
电源电流	35A,1200V
电源电压	1200V
针脚数	整流桥＋三相桥（PIM）
用途	仪器
功率	1200V
封装	EconoPIM2
FP35R12KT4 IGBT模块的使用注意事项： 
1．防止静电 IGBT是静电敏感器件，为了防止器件受静电危害，应注意以下两点： ① IGBT模块驱动端子上的黑色海绵是防静电材料，用户用接插件引线时取下防静电材料立即插上引线；在无防静电措施时，不要用手触摸驱动端子。 ② 驱动端子需要焊接时，设备或电烙铁一定要接地。 2．选择和使用  ① 请在产品的较大额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦**出较大额定值，可能损坏产品，特别是IGBT外加**出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从
而使元件损坏，请务必在VCES的额定值范围内使用！工作使用频率愈高,工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。  ② 驱动电路：由于IGBT Vce(sat) 和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅较电压选为 +VGE=14～15V，-VGE=5～10V，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求； 栅较电阻Rg与IGBT 的开通和关断特性密切相关，减小Rg值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅较电阻Rg值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间较佳折衷(与频率有关)选择合适的Rg 值，一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅较开路，建议靠近栅较与发射较间并联10K～20KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源投入时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。
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