赛米控SEMiX302GB128Ds正品现货IGBT模块

SEMiX302GB128Ds是赛米控针对变频应用、焊接机应用、不间断电源应用等领域的软穿通型IGBT模块，具有高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术的优势，由SEMiX302GB128Ds作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
 
SEMiX302GB128Ds产品参数：
VCES=1200V；Ic=284A；Icom=150A；VCE(sat)=1.9V；Eon+Eoff=33mJ SKM150GB173D、SKM200GB173D、SKM200GB173D1、SKM200GAL173D、SKM200GAR173D、SKM400GA173D、SKM400GA173D1S、SKM75GB176D、SKM100GB176D、SKM145GB176D、SKM200GB176D、SKM400GB176D、SKM145GAL176D、SKM200GAL176D、SKM400GAL176D、SKM600GA176D、SKM800GA176D、SKIM500GD063DM、SKIM300GD126D、SKIM400GD126DM、SKIM450GD126D、SKM601GD126DM、SKIM150GD128D、SKIM200GD128D、SKIM250GD128D、SKIM350GD128DM、SKIM400GD128D、SKIM500GD128DM、SKIM120GD176D、SKIM220GD176D、SKIM270GD176D、SKIIP14A065V1、SKIIP15AC065V1、SKIIP26AC065V1、SKIIP27AC065V1、SKIIP28AC065V1、SIIP39AC065V2、SKIIP29AHB08V1、SKIIP29ANB08V1、SKIIP02AC066V1、SKIIP03AC066V1、SKIIP04AC066V1、SKIIP15AC066V1、SKIIP26AC066V1、SKIIP27AC066V1、SKIIP28AC066V1、SKIIP39AC066V4、SKIIP04ACB066V1、SKIIP11AC126V1、SKIIP12AC126V1
IGBT模块的使用
　　1．防止静电 IGBT是静电敏感器件，为了防止器件受静电危害，应注意以下两点：
　　① IGBT模块驱动端子上的黑色海绵是防静电材料，用户用接插件引线时取下防静电材料立即插上引线；在无防静电措施时，不要用手触摸驱动端子。
　　② 驱动端子需要焊接时，设备或电烙铁一定要接地。
　　2．选择和使用
　　① 请在产品的较大额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦**出较大额定值，可能损坏产品，特别是IGBT外加**出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在VCES的额定值范围内使用！工作使用频率愈高,工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备，以免测试损坏（特别是IGBT和FRED模块需要专业的测试设备，请勿使用非专业的设备测试其电压的较大值）。
　　② 驱动电路：由于IGBT Vce（sat） 和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅较电压选为 +VG=14～15V，-VG=5～10V，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求； 栅较电阻Rg与IGBT 的开通和关断特性密切相关，减小Rg值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅较电阻Rg值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间较佳折衷（与频率有关）选择合适的Rg 值，一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅较开路，建议靠近栅较与发射较间并联20K～30KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源合闸时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。

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